在第3代半導體之中的氮化鎵（GaN）以及碳化矽（SiC），因其耐高溫、高壓及高頻的特性，接連傳出被特斯拉、蘋果等指摽性廠商導入，目前滲透率雖低，但已受到許多台廠供應鏈關注，股市更颳起第3代半導體旋風。

第3代半導體為化合物半導體的一種，是一個過去就存在的技術，被點名受惠的公司股價皆一飛沖天，一名資深業者感嘆地說，「以前市場差，一堆做第3代半導體的都放棄去找其他工作，最近都開始回流了。」

第3代半導體的商機究竟有多誘人，從各家廠商都預計導入的力度，就可略知一二。以氮化鎵來說，因可大幅節省能耗、空間，戴爾、小米等消費電子產品廠商紛將其採用在快充頭上，據傳蘋果也將導入在快充設備上。除了充電器，在碳化矽基板上長氮化鎵的技術（GaN-On-SiC），更能應用在光達、基地台甚至衛星通訊等高階應用，雷達系統公司創未來科技董事長王毓駒指出，因為高功率、低能耗的特性，因此創未來的雷達裡，已經有導入氮化鎵晶片的方案。

難題1〉IDM居主流：成本高、以高階市場為主

關鍵之一在於，IDM廠仍舊占據了大部分的第3代半導體市場，因此，除了應用在充電的氮化鎵出現了許多IC設計公司，讓台灣磊晶、代工廠有一定發揮空間外，其他如碳化矽基板上長氮化鎵，以及碳化矽元件領域都還未看到明顯的代工訂單釋出。

到目前為止，第3代半導體價格仍居高不下，導致市場受限。王毓駒直言，同樣的晶片面積，氮化鎵製造的成本比矽製程多了一百倍，「我們都是高價產品才會導入。」一名分析師也提醒，目前功率元件概念股「現在其實吃的是漲價潮，公司第3代半導體的營收占比還是偏低。」

難題2〉價格競爭力差：須向日、美購買上游材料

其次，上游基板、磊晶材料都掌握在日本、美國廠商手上，則是一大隱憂。有業者憂心，若是IDM廠能以低價格取得上游材料，對擅長垂直分工模式的台廠來說，短時間恐怕沒辦法取得較佳的價格，若上游成本就多人一截，價格競爭力並不顯著。

難題3〉難以打進下游：產品已開發，但無人採用

其3，下游客戶採用意願仍有待突破。由於台灣缺少本土汽車、通訊設備等品牌供應鏈，難以打入國外封閉的系統，有功率元件業者就私下表示，其實公司相關產品早已經開發完成，但迄今沒有外商願意採用。